تلاش برای دستیابی به حافظهای واحد که بتواند پایداری حافظه فلش را با سرعت حافظه رم ترکیب کند، دهههاست که ادامه دارد.
در این مسیر، فناوریهایی مانند حافظه مقاومتی، سلولهای مغناطیسی و SSDهای Optane اینتل تلاش کردند نقش حافظه دائمی و موقت را همزمان ایفا کنند، اما هیچکدام در بازارهای اصلی دوام نیاوردند.
با این حال، چند سال پیش توجهها به UltraRAM جلب شد؛ فناوریای که ابتدا در دانشگاه لنکستر توسعه یافت و سپس توسط شرکت نوپای Quinas Technology در بریتانیا به مرحله تجاریسازی رسید.
مطالعات اولیه این فناوری را «حافظهای غیرفرار با قابلیت ذخیرهسازی سریع و فوقکممصرف الکترونها» توصیف کردند و امیدها را برای پر کردن فاصله میان SSD و RAM افزایش دادند.
در سال ۲۰۲۳، Quinas با دریافت کمکهزینهای از Innovate UK – نهاد دولتی حمایت از علم تجاری – شتاب بیشتری گرفت. این حمایت پس از آن صورت گرفت که شرکت در همان سال موفق به دریافت جایزه نوآورانهترین استارتاپ حافظه فلش در رویداد Flash Memory Summit شد.
این بودجه به Quinas امکان داد تا از نمونههای آزمایشگاهی به سمت ساخت دستگاههایی در مقیاس نانومتری حرکت کند؛ مرحلهای حیاتی برای رقابت با بزرگترین محصولات SSD و RAM موجود در بازار.
اعتماد و سرمایهگذاری یک نهاد ملی نشان میدهد که UltraRAM از مرحله تحقیقات نظری فراتر رفته و وارد مسیر توسعه واقعی شده است—مرحلهای که بسیاری از فناوریهای حافظه پیشین هرگز به آن نرسیدند.
گفته میشود UltraRAM زمان دسترسی بسیار سریع، انرژی سوئیچینگ فوقالعاده پایین و دوام ذخیرهسازی در حد چند قرن دارد. این فناوری از نظر طول عمر از حافظههای فلش معمولی پیشی میگیرد و مصرف انرژی کمتری دارد.
اگر ادعاهای مطرحشده در مقیاس صنعتی تحقق یابد، دستگاههای رایانهای آینده میتوانند حافظه و ذخیرهسازی را در یک لایه واحد ادغام کنند. این تحول نهتنها شکاف سنتی میان SSD و RAM را از میان برمیدارد، بلکه ممکن است ماژولهای حافظه DIMM را نیز منسوخ کند؛ چرا که سرعت DRAM را با پایداری فلش ترکیب کرده و ناکارآمدیهای هر دو را حذف میکند.
بر خلاف DRAM، UltraRAM نیازی به تازهسازی مداوم یا خواندن مخرب ندارد، و بر خلاف فلش، به پمپهای شارژ یا سیستمهای توزیع فرسایش وابسته نیست.
با این حال، نباید از چالشهای صنعتی غافل شد. فناوری Optane اینتل نیز وعده ترکیب حافظه دائم و موقت را داده بود، اما به دلیل هزینه بالا و استقبال ضعیف کنار گذاشته شد.
تراکم ساخت در حد SSDهای امروزی و دستیابی به بازدهی پایدار در زیر ۱۰ نانومتر هنوز نامشخص است. این موانع نشان میدهند که ایده UltraRAM بهعنوان حافظهای جهانی، فعلاً بیشتر در حد آرزو باقی مانده تا واقعیت تضمینشده.
