کمبود جهانی حافظه که با گسترش هوش مصنوعی تشدید شده، چین را بیش از بسیاری از کشورها تحت تأثیر قرار داده است.
این وضعیت تا جایی پیش رفته که بزرگ‌ترین تولیدکننده حافظه دسترسی تصادفی پویا (DRAM) در چین، قصد دارد با وجود بازده بسیار پایین تولید، برنامه خود برای ساخت تراشه‌های حافظه پیشرفته را ادامه دهد.
خبرگزاری رویترز به نقل از منابعی که نامشان فاش نشده، گزارش داده است که شرکت چانگ‌شین مموری تکنالوجیز (CXMT) قصد دارد طی دو ماه آینده، تولید محدود تراشه‌های HBM3E را آغاز کند.
HBM3E نوعی حافظه با پهنای باند بالا و پیشرفته است که در کنار پردازنده‌های هوش مصنوعی استفاده می‌شود. در این فناوری، تراشه‌های حافظه به‌صورت عمودی روی یکدیگر قرار می‌گیرند تا امکان انتقال حجم زیادی از داده‌ها با سرعت بالا فراهم شود. با این حال، تولید این تراشه‌ها دشوار و پرهزینه است.
بر اساس گزارش رویترز، شرکت CXMT تاکنون نمونه‌هایی از این تراشه‌ها را برای چند طراح چینی تراشه‌های هوش مصنوعی ارسال کرده است. با این وجود، تنها حدود ۲۰ تا ۳۰ درصد از تراشه‌های تولیدشده با مشخصات فنی مورد نیاز مطابقت دارند و قابل استفاده هستند.
